型号 | PSMN4R3-30PL,127 |
厂商 | NXP Semiconductors |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3 |
PSMN4R3-30PL,127 PDF | |
代理商 | PSMN4R3-30PL,127 |
产品目录绘图 | PSMN TO-220AB-3 |
特色产品 | TO220 with Trench 6 MOSFETs |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.3 毫欧 @ 15A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.15V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 41.5nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 12V |
功率 - 最大 | 103W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
产品目录页面 | 1508 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 568-4897-5 934063918127 |